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1950年回国后先后任中科院应用物理研究所半导体

  作为国家在科学技术方面的最高学术机构和全国自然科学与高新技术的综合研究与发展中心,建院以来,中国科学院时刻牢记使命,与科学共进,与祖国同行,以国家富强、人民幸福为己任,人才辈出,硕果累累,为我国科技进步、经济社会发展和国家安全做出了不可替代的重要贡献。

  3月15日上午,中国科学院半导体研究所举行座谈会,纪念我国著名半导体器件物理学家、微电子学家、中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一、中国科学院院士王守武诞辰100周年。半导体所党委书记、副所长冯仁国以及王守武的学生、同事和朋友20余人参加了此次座谈会。

  王守武,1919年3月生于江苏。1941年王守武毕业于上海同济大学,1945年赴美留学,1949年获美国普渡大学博士研究生学位,1950年回国后先后任中科院应用物理研究所半导体研究室室主任、中科院半导体所副所长、vns威尼斯官网登入中科院109厂厂长和中科院微电子中心名誉主任等职。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起,在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中,提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究,解决了一系列技术难题,使我国大规模集成电路芯片的成品率有显著提高,成本大为降低。1979年获全国劳动模范称号,1980年当选为中科院院士(学部委员)。先后获中科院科研成果一等奖、中科院科技进步奖二等奖和国家科技进步奖二等奖等。

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